これで納得フォトボル出力フォトカプラ

フォトボル出力フォトカプラには二次側の外部電源を使う事なくMOSFETを駆動出来る、放電抵抗が内蔵してあるため、MOSFETのターンオフ時間を短縮出来るなどの特徴があります。MOSFETは電界効果トランジスタの一種で、MOSトランジスタにはオン抵抗があります。ターンオフ時間は半導体素子がON状態からOFF状態になるまでの最小時間で、MOSFETのターンオフ時間を短く出来るので、切り替えをスムーズに行ってくれる効果を期待出来ます。尚、動作電圧は数十ボルトから数百ボルト、高電圧も駆動出来るのも特徴です。ちなみに、フォトカプラと比較した場合、動作速度が遅いなどの理由から信号伝達回路として利用が行われる事は少なく、主に信号を断続する電子スイッチとして利用が行われる半導体素子です。

信号系と電力系の絶縁が可能です

フォトボル出力フォトカプラはMOSFETをコントロールする電子回路で利用が行われる半導体素子です。フォトカプラの場合には発光ダイオードとフォトトランジスタが内蔵してあります。発光ダイオードが光ると、フォトトランジスタを照らす事になり、フォトトランジスタのコレクタとベース間に光電流が流れる、発光ダイオードが消灯、もしくは発光ダイオードの光が遮られた時にはフォトトランジスタはオフ状態になるなど、スイッチの役割を持たせる事が出来ます。フォトボル出力の場合は、光発電セルを持っているのが特徴で、発光ダイオードが光ると、FETのゲート容量を充電開始となり、ゲートとソース間の電圧を高くする事でFETが導通状態になります。尚、フォトボル出力の場合、信号系と電力系のアースを絶縁出来るなどの特徴もあります。

ブレーク型接点とメーク型接点の違いについて

フォトボル出力フォトカプラは2つのFETが逆直列に接続してあるのが特徴で、ブレーク型接点とメーク型接点の2タイプがあります。メーク型接点の場合、LEDが点灯すると光発電セルがFETのゲート容量を充電開始してゲートとソース間の電圧が上昇する事でFETは導通状態になります。これに対して、ブレーク型接点はFETが無バイアスで導通状態になるのが特徴で、LEDが点灯すると光発電セルがFETのゲートとソース間の電圧を逆バイアス方向で充電を開始して遮断する仕組みを持ちます。LEDが消えた時には光発電セルは充電をストップするだけではなく、内部にある放電スイッチ回路が自動的に働くため、ゲート電荷を強制的に放電開始となり、ゲートとソース間の電圧を速やかに下げる特性があります。